* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
ZXMC3AMCTA
Channel Type
Высота:
0.78mm
Длина:
3.08mm
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Isolated
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.45 W
Максимальное напряжение входа:
-20 V, +20 V
Максимальное напряжение стока источника:
30 V
Максимальное пороговое напряжение:
3V
Максимальное сопротивление стока источника:
180 mΩ, 330 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2.1 A, 3.7 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип упаковки:
DFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
3.9 nC @ 10 V, 6.4 nC @ 10 V
Ширина:
2.075mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |