* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This is a 1Gb Low Power DDR SDRAM organized as 16M words x 4 banks x 16bits
Power supply VDD = 1.7V∼1.95V、VDDQ = 1.7V∼1.95V
Data width: x16
Burst Type: Sequential or Interleave、Clock rate : 166MHz, 200MHz
Standard Self Refresh Mode
PASR、ATCSR、Power Down Mode、DPD
Programmable output buffer driver strength
Four internal banks for concurrent operation
CAS Latency: 2 and 3
Burst Length: 2、4 、8 and 16
Operating Temperature Range: Extended (-25°C ∼ 85°C), Industrial (-40°C ∼ 85°C)
Bidirectional, data strobe (DQS) is transmitted or received with data, to be used in capturing data at the receiver
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.65мм
Диапазон данных:
DDR
Длина:
8.1мм
Класс SDRAM:
DDR
Количество бит на слово:
64 M
Количество контактов:
60
Максимальное время случайного доступа:
6.5нс
Напряжение питания - максимальное:
1.95 В
Напряжение питания - минимальное:
1.7 В
Организация:
64 M x 16 бит
Рабочая температура - максимальная:
+85 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размер памяти:
1Гбит
Размеры:
8.1 x 9.1 x 0.65мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
VFBGA
Число слов:
64м
Ширина:
9.1мм
Ширина шины адреса:
16бит
Ширина шины данных:
16бит
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |