* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The DGTD65T50S1PT is produced using advanced Field Stop Trench IGBT Technology, which provides excellent quality and high-switching performance.
High-Speed Switching & Low Power Loss
VCE(sat) = 1.85V @ IC = 50A
High Input Impedance
trr = 80ns (typ) @ diF/dt = 1000A/μs
Eoff = 0.55mJ @ TC=25°C
Maximum Junction Temperature 175°C
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
UPS
Welder
Solar Inverter
IH Cooker
Datasheet DGTD65T50S1PTЕмкость затвора:
4453пФ
Количество контактов:
3
Количество транзисторов:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
375 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
100 A, 200 (Pulsed) A
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размеры:
16.26 x 5.31 x 21.46мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |