* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 ALow VF soft recovery co-packaged diode \tFor automotiveLow conduction lossLow noise and conduction lossApplicationsAutomotive On Board ChargeAutomotive DC/DC converter for HEVEnd ProductsEV/PHEV
Mfr Part No.:
AFGB40T65SQDN
Maximum Continuous Collector Current
Автомобильный стандарт:
AEC-Q101
Емкость затвора:
2495pF
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество транзисторов:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
238 W
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 V
Максимальное напряжение эмиттера:
±20V
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
10.67 x 9.65 x 4.58mm
Рейтинг энергии:
22.3mJ
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип упаковки:
D2PAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |