* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 32K ´ 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
121-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 33-MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write-protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Device ID
Manufacturer ID and Product ID
Low power consumption
5-mA active current at 33 MHz
500-A standby current
12-A sleep mode current
Low-voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.6 V
Extended temperature: –40 C to +105 C
8-pin dual flat no-leads (DFN) package
Datasheet FM25V02A-DGQ
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
ТК Деловые Линии | от 500 руб |
Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
Другой транспортной компанией | По согласованию |