Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Fairchild Semiconductor N-Channel MOSFET, 200 mA, 800 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Fairchild FQT1N80TF_WS, МОП-транзистор

8075920
Номер производителя: FQT1N80TF_WSПроизводитель: Fairchild Semiconductor
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
144.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Техническая спецификация
pdfFQT1N80, N-Channel QFET MOSFET 800V 0.2A 20 Ohm Data Sheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.7мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.1 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
800 В
Максимальное сопротивление стока источника:
20 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
200 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
QFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
Типичный заряд затвора при Vgs:
5.5 нКл при 10 В
Ширина:
3.7мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию