Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

ON Semiconductor FGA30S120P IGBT, 60 A 1300 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole, Транзистор

8648789
Номер производителя: FGA30S120PПроизводитель: ON Semiconductor
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
2079.00 руб. (С НДС) *
Количество 2+ 10+ 100+ 250+ 500+
Цена 2079.00 руб. 1773.00 руб. 1413.00 руб. 1341.00 руб. 1260.00 руб.

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая спецификация
pdfFGA30S120P, 1300V 30A Shorted-Anode IGBT
pdfESD Control Selection Guide V1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
348 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1300 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±25В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
60 A
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
15.8 x 5 x 20.1мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-3PN
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию