Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

ON Semiconductor FGD3N60LSDTM IGBT, 6 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount, Транзистор

8648821
Номер производителя: FGD3N60LSDTMПроизводитель: ON Semiconductor
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
102.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая спецификация
pdfFGD3N60LSD, IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
pdfESD Control Selection Guide V1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
40 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
600 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±25В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
6 A
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию