PNP Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
80 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
2.5 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
4 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.2мА
Минимальное усиление постоянного тока:
750
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
7.8 x 2.7 x 10.8мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие