* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BFQ19S, Low Noise Silicon Bipolar RF TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рабочая частота:
1.5 ГГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
3 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
20 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
15 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
75 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
1.5 x 4.5 x 2.5мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-89
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |