* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Техническая спецификация
TSM6968D 20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected Data SheetESD Control Selection Guide V1Высота:
1.05мм
Длина:
4.5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Common Drain
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.04 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
22 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6.5 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSSOP
Типичный заряд затвора при Vgs:
15 нКл при 4.5 В
Ширина:
3.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |