* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
The ON Semiconductor MJ11016G is a 30A, 120V NPN Darlington bipolar power transistor. It is designed to be used as an output device for general purpose amplifier applications.
The MJ11016G comes in a Pb-free TO-204AA (TO-3) though hole package.
• High DC Current Gain
• Monolithic Construction
• Built-in Base Emitter Shunt Resistor
• Junction Temperature: to +200°C
• NPN Polarity
Versions Available:
463-000 - pack of 2
100-7565 - tray of 100
ESD Control Selection Guide V1DatasheetВысота:
8.51мм
Длина:
39.37мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
120 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
120 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
30 A
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+200 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
39.37 x 26.67 x 8.51мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
TO-204
Ширина:
26.67мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |