* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Техническая спецификация
MJD112 (NPN), MJD117 (PNP), Complementary Darlington Power TransistorsESD Control Selection Guide V1Высота:
2.38мм
Длина:
6.73мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
4 В
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
100 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
100 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
3 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
4 A
Максимальный ток коллекторный отсечки:
0.02мА
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Размеры:
6.73 x 6.22 x 2.38мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Ширина:
6.22мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |