* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Техническая спецификация
N-Ch. TRENCHMOS,55V,PHT6NQ10TESD Control Selection Guide V1Высота:
1.7мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
90 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-65 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-223
Типичный заряд затвора при Vgs:
21 нКл при 10 В
Ширина:
3.7мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |