Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

MJ11016G Transistor Type, onsemi MJ11016G NPN Darlington Transistor, 30 A 120 V HFE:200, 3-Pin TO-204

1007565
Производитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 100 шт)
2645.70 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
The ON Semiconductor MJ11016G/ is a 30A, 120V NPN Darlington bipolar power transistor. It is designed to be used as an output device for general purpose amplifier applications. The MJ11016G comes in a Pb-free TO-204AA (TO-3) though hole package. High DC Current Gain Monolithic Construction Built-in Base Emitter Shunt Resistor Junction Temperature: to +200°C NPN Polarity
Versions Available:/a href=\"/web/p/products/463000\""463-000/a - pack of 2a href=\""/web/p/products/1007565\""100-7565/a - tray of 100

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1"
Mfr Part No.:
MJ11016G Transistor Type
Высота:
8.51mm
Длина:
39.37mm
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
5 V
Максимальное напряжение база-эмиттер:
5 V
Максимальное напряжение коллектор-база:
120 V
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
120 V
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
4 V
Максимальный непрерывный ток коллектора:
30 A
Минимальное усиление постоянного тока:
200
Рабочая температура - максимальная:
+200 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
39.37 x 26.67 x 8.51mm
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-204
Ширина:
26.67mm
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию