* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
General Purpose NPN Transistors, STMicroelectronics
The STMicroelectronics NPN power transistor device is an NPN power bipolar transistor manufactured using the latest high-voltage diffused collector technology.
High gain
Very high voltage capability
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Техническая спецификация
STN0214, Very High Voltage NPN Power TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.6 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
6 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1400 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
200 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
6.5 x 3.5 x 1.8мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-223 (SC-73)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |