* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Техническая спецификация
BSL316C OptiMOS Dual Small Signal MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
2.9мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
500 мВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
270 мОм, 280 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.4 A, 1.5 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSOP-6
Типичный заряд затвора при Vgs:
0.6 нКл при 5 В, 2.4 нКл при 5 В
Ширина:
1.6мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |