* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Техническая спецификация
BCV29/49 NPN Silicon Darlington TransistorsESD Control Selection Guide V1Высота:
1.5мм
Длина:
4.5мм
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная напряжение насыщения база-эмиттер:
1.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
10 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
60 В
Максимальное напряжение насыщение коллектор-эмиттер:
1 В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
500 мА
Максимальный ток коллекторный отсечки:
10мкА
Минимальное усиление постоянного тока:
2000
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-89
Ток базы:
100мА
Ширина:
2.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |