* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AG, Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 mOhm typ., 200 A STripFET F7 Power MOSFETsESD Control Selection Guide V1Высота:
4.8мм
Длина:
8.9мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
365 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.1 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
200 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2.5В
Прямое напряжение диода:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STripFET F7
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK
Типичный заряд затвора при Vgs:
141 нКл при 10 В
Ширина:
10.4мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |