* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
High dV/dt capability for improved system reliability
AEC-Q101 qualified
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STB28N60DM2, STP28N60DM2, STW28N60DM2, N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFETsESD Control Selection Guide V1Высота:
20.15мм
Длина:
15.75мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
190 Вт
Максимальное напряжение входа:
-25 В, +25 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
160 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
22 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Прямое напряжение диода:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh DM2
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
39 нКл при 10 В
Ширина:
5.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |