Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
68 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
4.8 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
107 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Типичный заряд затвора при Vgs:
35 нКл при 10 В
MOSFET Datasheet