Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03

Email для запросов: incoll@rs-catalog.ru
Казань - (843) 202-39-84
Нижний Новгород - (831) 261-37-10
Новосибирск - (383) 227-85-67
Самара - (846) 229-56-95
Ростов-на-Дону - (863) 209-87-79

Vishay SI4403CDY-T1-GE3 P-channel MOSFET, 13.4 A, 20 V, 8-Pin SOIC, МОП-транзистор

1219657
Номер производителя: SI4403CDY-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
77.35 руб. *

Срок поставки: 3-5 недель

+

* Цена с НДС справочная. Возможно ее увеличение на стоимость доставки по России и сертификации.

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay SemiconductorMOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
1.55мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
P
Категория:
Power MOSFET
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Крутизна характеристики:
40S
Максимальная рассеиваемая мощность:
5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
20 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
13.4 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.4В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
5 x 4 x 1.55мм
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Типичная входная емкость при Vds:
2380 пФ при -10 В
Типичная задержки включения время:
14 нс
Типичная задержки выключения время:
108 нс
Типичный заряд затвора при Vgs:
60 нКл при 8 В
Ширина:
4мм
Самовывоз со склада г. Екатеринбурга
Бесплатно
ТК Деловые Линии
от 500 руб
Другой транспортной компанией
По согласованию