Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Infineon 256kbit Parallel FRAM Memory 28-Pin SOIC, FM1808B-SG

1242981
Номер производителя: FM1808B-SGПроизводитель: Infineon
Цена за шт.
2429.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption

256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 32 K x 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
SRAM and EEPROM compatible
Industry-standard 32 K x 8 SRAM and EEPROM pinout
70-ns access time, 130-ns cycle time
Superior to battery-backed SRAM modules
No battery concerns
Monolithic reliability
True surface mount solution, no rework steps
Superior for moisture, shock, and vibration
Resistant to negative voltage undershoots
Low power consumption
Active current 15 mA (max)
Standby current 25 μA (typ)
Voltage operation: VDD = 4.5 V to 5.5 V
Industrial temperature: –40 °C to +85 °C
28-pin small outline integrated circuit (SOIC) package

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Техническая спецификация
pdfDatasheet - FM1808B-SG
Автомобильный стандарт:
AEC-Q100
Высота:
2.37мм
Длина:
18.11мм
Количество бит на слово:
8бит
Количество контактов:
28
Максимальное время случайного доступа:
70нс
Напряжение питания - максимальное:
5.5 В
Напряжение питания - минимальное:
4.5 В
Организация:
32K x 8 бит
Рабочая температура - максимальная:
+85 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размер памяти:
256кбит
Размеры:
18.11 x 7.62 x 2.37мм
Тип интерфейса:
Parallel
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Число слов:
32k
Ширина:
7.62мм
Ширина шины данных:
8бит
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию