* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
RQ6E050AT, P-Channel Power MOSFET (-30V -5A)ESD Control Selection Guide V1Высота:
0.95мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Dual Base
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт
Максимальное напряжение входа:
-18 В, +18 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
38 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
5 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RQ6E050AT
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSMT-6
Типичный заряд затвора при Vgs:
20.8 нКл при 10 В
Ширина:
1.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |