* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
RS1G120MN, N-Channel Power MOSFET (40V 12A)ESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
5мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
25 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
20.7 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
40 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RS1G120MN
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
HSOP8
Типичный заряд затвора при Vgs:
9.4 нКл при 10 В
Ширина:
5.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |