* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
RU1C001UN, N-Channel Small Signal MOSFET (20V 100mA)ESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
2.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 мВт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
20 В
Максимальное пороговое напряжение:
1В
Максимальное сопротивление стока источника:
18 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
100 мА
Минимальное пороговое напряжение:
0.3В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RU1C001UN
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-323
Ширина:
1.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |