* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
SiC Schottky Barrier Diodes, ROHM
The total capacitive charge is small, reducing switching loss, enabling high-speed switching operation for the Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes.
Diodes and Rectifiers, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
SCS220AJ, SiC Schottky Barrier DiodeESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация диода:
Single
Максимальное падение прямого напряжения:
1.63В
Максимальный постоянный прямой ток:
20A
Пик времени обратного восстановления:
19нс
Пик неповторяющегося тока перегрузки в прямом направлении:
260A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
650В
Технология диода:
SiC Шоттки
Тип диода:
SiC Шоттки
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |