* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
UM6J1N, P-Channel + P-Channel Small Signal MOSFET (-30V -200mA)ESD Control Selection Guide V1Высота:
0.9мм
Длина:
2.1мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual Base
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 мВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.4 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
200 мА
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
UM6J1N
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-363
Ширина:
1.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |