Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK100E06N1,S1X(S, МОП-транзистор

1250528
Номер производителя: TK100E06N1,S1X(SПроизводитель: Toshiba
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
682.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

MOSFET Transistors, Toshiba

Техническая спецификация
pdfTK100E06N1,S1X(S
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
15.1мм
Длина:
10.16мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
255 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
2.3 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
263 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
U-MOSVIII-H
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
Типичный заряд затвора при Vgs:
140 нКл при 10 В
Ширина:
4.45мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию