* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology
Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
New low-impedance package with driver source
8 mm of creepage/clearance between Drain and Source
High-speed switching with low output capacitance
High blocking voltage with low Drain-Source On-State Resistance
Avalanche ruggedness
Fast intrinsic diode with low Reverse Recovery
MOSFET Transistors, Cree Inc.
Техническая спецификация
C3M0065100K, Silicon Carbide Power MOSFET C3M MOSFET TechnologyESD Control Selection Guide V1Высота:
23.6мм
Длина:
16.13мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
113.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +19 В
Максимальное напряжение стока источника:
1000 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
90 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
35 A
Материал транзистора:
SiC
Минимальное пороговое напряжение:
1.8В
Прямое напряжение диода:
4.8В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
C3M
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247-4
Типичный заряд затвора при Vgs:
35 нКл при 15 В, 35 нКл при 4 В
Ширина:
5.21мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |