Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Cypress Semiconductor 64kbit SPI FRAM Memory 8-Pin SOIC, FM25CL64B-G

1254222
Номер производителя: FM25CL64B-GПроизводитель: Cypress Semiconductor
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
963.00 руб. (С НДС) *
Количество 2+ 10+ 50+ 100+ 500+
Цена 963.00 руб. 846.00 руб. 825.00 руб. 804.00 руб. 783.00 руб.

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption

64-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 8K ´ 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention
NoDelay™ writes
Advanced high-reliability ferroelectric process
Very fast serial peripheral interface (SPI)
Up to 20 MHz frequency
Direct hardware replacement for serial flash and EEPROM
Supports SPI mode 0 (0, 0) and mode 3 (1, 1)
Sophisticated write protection scheme
Hardware protection using the Write Protect (WP) pin
Software protection using Write Disable instruction
Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array
Low power consumption
200 μA active current at 1 MHz
3 μA (typ) standby current
Low-voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.65 V
Industrial temperature: –40 °C to +85 °C
Packages
8-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
8-pin thin dual flat no leads (DFN) package

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Количество бит на слово:
8бит
Количество контактов:
8
Напряжение питания - максимальное:
3.65 В
Напряжение питания - минимальное:
2.7 В
Организация:
8K x 8 бит
Рабочая температура - максимальная:
+85 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размер памяти:
64кбит
Размеры:
4.97 x 3.98 x 1.48мм
Тип интерфейса:
SPI
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Число слов:
8K
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию