Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Cypress Semiconductor 256kbit Parallel FRAM Memory 28-Pin SOIC, FM28V020-SG

1254229
Номер производителя: FM28V020-SGПроизводитель: Cypress Semiconductor
Цена за шт.
3588.00 руб. (С НДС) *
Количество 10+ 50+ 100+ 500+
Цена 2925.00 руб. 2847.00 руб. 2769.00 руб. 2703.00 руб.

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

Nonvolatile Ferroelectric RAM Memory
Fast write speed
High endurance
Low power consumption

256-Kbit ferroelectric random access memory (F-RAM) logically organized as 32K ´ 8
High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
151-year data retention
NoDelay™ writes
Page mode operation
Advanced high-reliability ferroelectric process
SRAM compatible
Industry-standard 32K ´ 8 SRAM pinout
70-ns access time, 140-ns cycle time
Superior to battery-backed SRAM modules
No battery concerns
Monolithic reliability
True surface mount solution, no rework steps
Superior for moisture, shock, and vibration
Resistant to negative voltage undershoots
Low power consumption
Active current 5 mA (typ)
Standby current 90 μA (typ)
Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V
Industrial temperature: –40 °C to +85 °C
Packages:
28-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
28-pin thin small outline package (TSOP) Type I
32-pin thin small outline package (TSOP) Type I

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Количество бит на слово:
8бит
Количество контактов:
28
Максимальное время случайного доступа:
70нс
Напряжение питания - максимальное:
3.6 В
Напряжение питания - минимальное:
2 В
Организация:
32K x 8 бит
Рабочая температура - максимальная:
+85 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размер памяти:
256кбит
Размеры:
18.11 x 7.62 x 2.37мм
Тип интерфейса:
Parallel
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOIC
Число слов:
32K
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию