* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel Power MOSFET, IXYS HiperFET PolarHV Series
A range of IXYS PolarHV™ series N-channel Enhancement mode Power MOSFET with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Техническая спецификация
IXFL 100N50P, PolarHV HiPerFET Power MOSFET 500V 70A ISOPLUS264ESD Control Selection Guide V1Высота:
26.42мм
Длина:
20.29мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
625 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
500 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
52 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
70 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
PolarHVTM HiPerFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
ISOPLUS264
Типичный заряд затвора при Vgs:
240 нКл при 10 В
Ширина:
5.21мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |