* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Техническая спецификация
IXFN360N10T, GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET 100V 360A SOT-227BESD Control Selection Guide V1Высота:
9.6мм
Длина:
38.23мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.6 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
360 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.5В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
GigaMOS Trench HiperFET
Тип монтажа:
Винтовое крепление
Тип упаковки:
SOT-227
Типичный заряд затвора при Vgs:
525 нКл при 10 В
Ширина:
25.07мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |