Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V, 4-Pin SOT-227 IXYS IXFN360N15T2, МОП-транзистор

1258042
Номер производителя: IXFN360N15T2Производитель: IXYS
Цена за шт.
15557.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Техническая спецификация
pdfIXFN360N15T2, GigaMOS TrenchT2 HiperFET Power MOSFET 150V 310A SOT-227B
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
9.6мм
Длина:
38.23мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.07 кВт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
150 В
Максимальное пороговое напряжение:
Максимальное сопротивление стока источника:
4 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
310 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.5В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
GigaMOS TrenchT2 HiperFET
Тип монтажа:
Винтовое крепление
Тип упаковки:
SOT-227
Типичный заряд затвора при Vgs:
715 нКл при 10 В
Ширина:
25.07мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию