* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Техническая спецификация
IXFR140N30P, Polar Power MOSFET HiPerFET 300V 70A ISOPLUS247ESD Control Selection Guide V1Высота:
21.34мм
Длина:
16.13мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
300 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
26 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
70 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Прямое напряжение диода:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
Polar HiPerFET
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
ISOPLUS247
Типичный заряд затвора при Vgs:
185 нКл при 10 В
Ширина:
5.21мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |