* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel Trench-Gate Power MOSFET, IXYS
Trench Gate MOSFET Technology
Low on-state Resistance RDS(on)
Superior avalanche ruggedness
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Техническая спецификация
IXTH110N25T, IXTV110N25TS, Trench Power MOSFETs 250V 110AESD Control Selection Guide V1Высота:
21.46мм
Длина:
16.26мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
694 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
24 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
110 A
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
Trench
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Типичный заряд затвора при Vgs:
157 нКл при 10 В
Ширина:
5.3мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |