* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
RF Bipolar Transistors, ROHM
Wide-band high-frequency bipolar junction transisstors from ROHM for applications such as RF amplifiers and HF oscillators.
Bipolar Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
2SC5662, High-Frequency Amplifier Transistor (11V, 50mA, 3.2GHz)ESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Общий эмиттер
Максимальная рабочая частота:
500 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
3 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
20 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
11 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
50 мА
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
1.3 x 0.9 x 0.45мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
NPN
Тип упаковки:
SOT-723
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |