* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Техническая спецификация
IPD60R1K0CE, IPU60R1K0CE, MOSFET 600V CoolMOS CE Power TransistorESD Control Selection Guide V1Высота:
2.41мм
Длина:
6.73мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Максимальная рассеиваемая мощность:
61 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
1 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6.8 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.5В
Прямое напряжение диода:
0.9В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
CoolMOS CE
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
13 нКл при 10 В
Ширина:
6.22мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |