* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
TK14G65W, MOSFET N-Channel 650VESD Control Selection Guide V1Высота:
4.46мм
Длина:
10.35мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
130 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
250 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
13.7 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2.5В
Прямое напряжение диода:
1.7В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
DTMOSIV
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Типичный заряд затвора при Vgs:
35 нКл при 10 В
Ширина:
8.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |