Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
60 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
800 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
6.8 A
Минимальное пороговое напряжение:
2.5В
Прямое напряжение диода:
1.7В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
15 нКл при 10 В
TK7P65W, MOSFET N-Channel 650V