* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
MOSFET Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
TPN3300ANH, MOSFET N-Channel 100VESD Control Selection Guide V1Высота:
0.85мм
Длина:
3.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
27 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
33 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
21 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
U-MOSVIII-H
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSON
Типичный заряд затвора при Vgs:
11 нКл при 10 В
Ширина:
3.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |