* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
RSD201N10, N-Channel Power MOSFET (100V, 20A)ESD Control Selection Guide V1Высота:
2.5мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
20 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
100 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
84 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
20 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RSD201N10
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-428
Типичный заряд затвора при Vgs:
55 нКл при 10 В
Ширина:
5.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |