* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
RYC002N05, 0.9V Drive N-Channel MOSFET (50V, 200mA)ESD Control Selection Guide V1Высота:
1.15мм
Длина:
3.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
350 мВт
Максимальное напряжение входа:
-8 В, +8 В
Максимальное напряжение стока источника:
50 В
Максимальное пороговое напряжение:
0.8В
Максимальное сопротивление стока источника:
9 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
200 мА
Минимальное пороговое напряжение:
0.3В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RYC002N05
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-23
Типичный заряд затвора при Vgs:
26 нКл при 10 В
Ширина:
1.5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |