* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
21мм
Длина:
16мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
35 Вт
Максимальное напряжение входа:
-6 В, +22 В
Максимальное напряжение стока источника:
1700 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
3.7 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
1.6В
Прямое напряжение диода:
4.3В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
SCT2H12NZ
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-3PFM
Типичный заряд затвора при Vgs:
14 нКл при 18 В
Ширина:
5мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |