* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
US6K1, Dual N-Channel Small Signal MOSFET (30V, 1.5A)ESD Control Selection Guide V1Высота:
0.82мм
Длина:
2.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual Base
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
340 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.5 A
Минимальное пороговое напряжение:
0.5В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
US6K1
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-363
Типичный заряд затвора при Vgs:
1.6 нКл при 4.5 В
Ширина:
1.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |