* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
P-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Техническая спецификация
RQ5H020SP, P-Channel Power MOSFET (-45V, -2A)ESD Control Selection Guide V1Высота:
0.95мм
Длина:
3мм
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
45 В
Максимальное пороговое напряжение:
3В
Максимальное сопротивление стока источника:
280 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2 A
Минимальное пороговое напряжение:
1В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
RQ5H020SP
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
TSMT-3
Типичный заряд затвора при Vgs:
9.5 нКл при 10 В
Ширина:
1.8мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |