* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DMC3016LDV Complementary MOSFET PairESD Control Selection Guide V1Высота:
0.8мм
Длина:
3.15мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Dual Base
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.8 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
2 V, 2.4V
Максимальное сопротивление стока источника:
17 мОм, 38 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
15 A, 21 A
Минимальное пороговое напряжение:
1.2 V, 1.4V
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
DMC3016LDV
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
PDI3333
Типичный заряд затвора при Vgs:
19.7 нКл при 15 В, 21 нКл при 15 В
Ширина:
3.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |