* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
thinQ! Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Infineon
The Infineon thinQ!™ Generation 5 offers a new thin wafer technology for SiC Schottky Barrier diodes improving the thermal characteristics. The SiC Schottky Diode devices offer advantageous high voltage power semiconductor features such as higher breakdown field strength and improved thermal conductivity allowing greater efficiency levels. This latest generation is suitable for use in Telecom SMPS and high-end Servers, UPS systems, Motor drives, Solar Inverters as well as PC Silverbox and Lighting applications.
Reduced EMI
Diodes and Rectifiers, Infineon
Техническая спецификация
IDH10G120C5 thinQ! 1200V SiC (Silicon Carbide) Schottky DiodeESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
2 + Tab
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация диода:
Single
Максимальное падение прямого напряжения:
2.6В
Максимальный постоянный прямой ток:
31.9A
Пик неповторяющегося тока перегрузки в прямом направлении:
99A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение:
1200В
Технология диода:
SiC Шоттки
Тип выпрямителя:
Schottky Diode
Тип диода:
SiC Шоттки
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |