* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
SUP90220E, N-Channel 200V 175°C MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
15.49мм
Длина:
10.51мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
230 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
200 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
23.5 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
64 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.5В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220AB
Типичный заряд затвора при Vgs:
31.6 нКл при 10 В
Ширина:
4.65мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |